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公司介绍

深圳真茂佳半导体有限公司成立于2016年10月,2022年成立日本真茂佳半导体株式会社,是一家专注于车规级功率半导体设计的高新技术企业,荣获《专精特新中小企业》拥有自主知识产权和品牌。

团队:核心技术成员拥有20年以上功率半导体器件设计、工艺开发、封装研发及应用经验,其中日籍研发人员曾在瑞萨、富士电机、安森美等国际半导体巨头厂商以主要设计负责人的角色主导开发车规级产品;核心管理人员具有国内IDM企业和世界知名企业的高管经验。

产品:公司已推出中低压车规级MOSFET产品103颗,位列车规MOSFET厂家第七;低中高压全系产品,共计700+种型号,性能达到国际水平。车规级SiC 二极管产品已经推出,性能达到国际同类器件水平;2023年将推出SiC MOSFET车规器件和IGBT车规器件、200V-300V GaN器件、车用高边智能开关 。目前申请专利51项,其中发明27项,已授权发明13项;后续也将以30项/年的速度持续申请(其中发明专利预计占比50%)。

市场:汽车市场为主,并在燃油喷射系统、域控制器、ESC、EPS、线性刹车系统、变速箱油泵、BMS、车灯、OBC、热管理系统等应用中批量供货;在储能、新能源、数据中心、服务器及消费类市场持续稳定发展。

企业文化

企业愿景 ——成为全球杰出的功率半导体企业

企业使命 ——为能源革新、低碳社会提供解决方案,持续为客户、员工、股东创造*大价值

价 值 观 ——客户为先、持续创新、合作共赢、长期奋斗

质量方针 ——“零”缺陷,持续改进,以客户为中心

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招聘概况/发展现状 (2个在线职位)

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说明:深圳真茂佳半导体有限公司招聘需求增长速度怎么样?。曲线上升可能是规模扩张,曲线下降可能是发展平缓或员工留存较好,统计于企业发布的公开数据,仅供参考。

荣誉 & 资质认证 & 行业协会相关

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工商信息

内容由 提供

经营状态: 开业
注册资本: 3,397.6364万(元)
法定代表: 王军立
成立时间:
信用代码: 91440300MA5DMLLC7Q
注册地址: 深圳市龙岗区平湖街道山厦社区中环大道中科谷产业园6栋1401

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