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发展阶段

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公司介绍

拓荆科技股份有限公司(以下简称“拓荆公司”或 “公司”)成立于 2010 年 4 月,于 2021 年 1 月 12 日整体变更为股份有限公司。公司总部位于辽宁省沈阳市浑南区,并在北京、上海、海宁成立三家子公司。公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。公司聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大主设备。公司多次承担国家重大科技专项,还曾多次获评中国半导体行业协会授予的“中国半导体设备五强企业”称号。公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备三个产品系列,技术指标达到国际同类产品先进水平,产品主要应用于集成电路晶圆制造,以及 TSV 封装、光波导、Micro-LED、OLED 显示等高端技术领域。目前,公司研发的 PECVD、ALD 及 SACVD 设备系列化产品已累计发货超 150 台,客户端总流片量突破 1500 万片。公司产品获得两届中国集成电路创新联盟的 IC 技术创新奖、辽宁省科技进步一等奖等荣誉。公司现有十余名海外高层次专家,结合国内优秀人才,形成了一支国际化的专业团队,具备高科技研发实力及管理经验。通过多年技术积累,公司已形成自主知识产权的核心技术群及知识产权体系,被国家知识产权局评为“国家知识产权示范企业(2019-2022)”。1公司总部占地 80 亩、总建筑面积达 40,000 平方米,拥有现代化办公大楼及高等级洁净厂房、先进和完备的无尘实验室系列列高端薄膜实验设备,用以研制和生产科技领先的半导体薄膜设备。公司产业化基地*期生产能力可实现年产100 台套,全部投产可达 350 台套设备,可以满足下游客户增产需求。公司拥有覆盖全球的供应商网络,并在北京、上海、武汉、合肥、天津、台湾等 20 多个地区的近 40 条生产线都设有技术服务中心,可为客户提供每周 7 天,每天 24 小时的技术服务。公司运营管理体系已通过 ISO9001、ISO14001、ISO45001 体系的认证。

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工商信息

内容由 提供

经营状态: 开业
注册资本: 5,000万(元)
法定代表: 刘静
成立时间:
信用代码: 91110302MA01Y1E13R
注册地址: 北京市北京经济技术开发区荣华南路1号院11号楼5至6层506

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