杭州乾晶半导体有限公司，2020年7月成立于浙江大学杭州国际科创中心，专注于第三代半导体材料领域，是一家集半导体碳化硅（SiC）单晶生长、晶片加工和设备开发为一体的高新技术企业。公司的核心团队来自于浙江大学硅材料国家重点实验室，与浙大科创中心先进半导体研究院成立联合实验室共同承担SiC材料的产业化任务，力争在三到五年内打造成为国际知名的第三代半导体材料品牌和标杆企业，为第三代半导体产业提供有力支撑。
SiC衬底材料具有耐高温、耐高压、大功率、高速率、低功耗等的优点，是功率和射频器件所依赖的基础材料。导电型4H-SiC衬底，生长SiC外延后，主要用于生产SBD、MOSFET和IGBT等功率器件，广泛应用于新能源汽车和充电桩、轨道交通、光伏逆变器，高压电力系统等领域，与传统Si基器件相比，具有更高的耐压水平和更低的功率损耗。半绝缘型4H-SiC衬底，则用于生长GaN-on-SiC结构，主要应用于高功率的微波射频器件，在移动通信基站、雷达、卫星通信、毫米波通信等应用领域占有垄断地位。
杭州乾晶半导体有限公司，致力于为上述领域的国内外客户，提供高品质、低成本的SiC衬底产品，同时也为国内外同行提供高质量的半导体衬底材料解决方案，包括但不限于晶片代加工服务，晶片和晶体检测服务等，助力我国第三代半导体产业的发展。
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