西安恒德新能源有限公司

西安恒德新能源有限公司在“双碳”战略纵深推进与算力基础设施爆发的时代背景下，以碳化硅（SiC）为代表的宽禁带半导体正全面重塑电力电子系统的效率与功率密度极限。然而，对于一线电力电子研发工程师而言，SiC器件极高的开关速度（高dv/dt、di/dt）、寄生米勒效应引起的误导通、微秒级短路耐受时间的严苛约束，以及高频寄生参数提取与热管理，构成了从器件选型到系统量产的重重技术壁垒。
作为港股SiC*股BASiC基本半导体（股票代码：09971.HK）与国产功率器件驱动板龙头青铜剑科技（Bro
nzeTechnologies）的核心一级授权代理商，西安恒德新能源有限公司致力于为电力电子工程师提供从“SiC晶圆/分立器件/车规与工业模块”到“隔离驱动IC/驱动核/即插即用驱动器/成套模组/动态测试设备”的一站式全链路硬核解决方案。
核心基石：基本半导体（BASiC）全谱系碳化硅功率矩阵
基本半导体依托清华大学与剑桥大学顶尖博士团队，拥有完整的6英寸碳化硅晶圆制造基地、车规级模块封测基地与*CNAS认可实验室。其第三代碳化硅芯片平台具备比导通电阻更优、高温RDSon稳定性极佳、体二极管反向恢复电荷几乎为零等核心优势。
1.碳化硅MOSFET分立器件全谱系
涵盖650V、750V、800V、1200V、1400V、1700V电压平台，支持开尔文源极引线及先进表贴封装，全面压制寄生电感：
650V系列：25mΩ∼40mΩ（型号：B3M025065H/Z/R/L/B、B3M040065H/Z/R/L/B、车规级AB3M025065CQ、AB3M040065CA等），主打服务器PFC、车载OBC与高频LLC。
750V/800V系列：8mΩ∼800mΩ（包含主推低阻B3M008C075Z、B3M010C075H/Z、B3M025075Z、B3M040075Z，以及面向快充与小功率电源的高性价比B3M380E075E/KF、B3M450E075EU、B3M500E080EL/KFL、B3M600~800E080系列）。
1200V系列：覆盖6mΩ∼160mΩ超宽范围：
超低内阻极速款：B3M006C120Y（6mΩ，TO247PLUS4）、B3M011C120Z/Y（11mΩ）、B3M013C120H/Z（13.5mΩ）。
主流畅销中大功率款：B3M020120H/ZL/ZN/R（